Диаметр обрабатываемых пластин – до 200 мм, с возможностью использования образцов произвольной формы, что позволяет применять платформу как для прикладных исследований и разработок, так и для производственного выпуска продукции. Установки оснащены технологичной бесшовной алюминиевой камерой и новым шлюзовым устройством, позволяющим производить монтаж «через стену чистого помещения». Модернизированный реактор меньшего объема с продуманной системой подачи газов позволяет дополнительно оптимизировать однородность проведения процессов и снизить время откачки, что, в частности, оптимально для использования системы при проведении Boschпроцессов с быстрой сменой процессных газов. Проведение регламентных работ в реакторе стало значительно легче за счет удобного доступа ко всем внутренним узлам установки. Модернизированная конструкция рабочего стола обеспечивает эффективное гелиевое охлаждение для длительных процессов травления и прецизионный нагрев с термостабилизацией в исполнении для PECVD. Гибкие возможности для программирования технологического процесса позволяют реализовывать все современные способы нанесения диэлектриков без внесения повреждений в полупроводниковую структуру (“Low Damage Dielectric Deposition”).
В качестве возбудителя плазмы используется плоский индуктивный источник с автоматическим согласованием. Образцы находятся на нагреваемом столике, к которому может быть подведен либо RF (13,56 МГц), либо переменный потенциал, фиксированная частота которого может быть выбрана (на этапе заказа) из диапазона 100÷2000 кГц. Использование низкочастотного потенциала на нагревательном столике в режиме индуктивного возбуждения пластин дает возможность регулировать напряжение пленок диэлектриков во время их осаждения.